Фото-приборы

© fastdl.org

Обзор некоторых вопросов техники и технологии фото-вольтаических приборов на основе полупроводниковых твердых растворов типа А3В5 и А2В6. Особенности конструкции планарных фото-диодов в случае узкозонных материалов.
Приемники инфракрасного излучения должны обеспечивать выполнение следующих основных требований:
- заданный спектральный диапазон;
- оптимальная чувствительность;
- экономичные эксплуатационные характеристики.
Диапазон 8-14 мкм наиболее интересный (и сложный) с точки зрения визуализации пространственной картины, поскольку температура объектов наблюдения не сильно отличается от температуры окружающей среды и, следовательно, контрастность объектов наблюдения невелика. Полупроводниковые фотоприемники, изготовленные на основе материала с собственным поглощением, должны обладать большей чувствительностью по сравнению с приборами на основе полупроводников с примесным поглощением, так как число генерированных фото носителей пропорционально плотности электронных состояний вблизи энергии детектируемого излучения. Есть три полупроводниковые системы, представляющие интерес как материал для фото вольтаических детекторов диапазона 8-14 мкм. Это: Pb1-x Snx Te, InAs 1-xSbx и Hg 1-xCd xTe. Проведем сравнительный анализ технологии и особенностей применения этих полупроводниковых соединений, чтобы получить аргументированное обоснование в предпочтении использования одной из них.

Система InAs 1-xSbx.

Эта система известна очень давно. Её характерная особенность заключается в том, что, как установлено по результатам измерения оптического поглощения в твердых растворах InAs 1-xSbx, при содержании антимонида индия 64% ширина запрещенной зоны при комнатной температуре минимальна и составляет 0.100 эВ. Этот , привлекательный с точки зрения приборной реализации в виде приемников ИК-излучения, факт должен рассматриваться с учетом физико-химических, а точнее, материаловедческих, особенностей поведения данной полупроводниковой системы. Многочисленные работы различных исследователей убедительно доказывают, что при температурах ниже температуры солидуса в этой системе имеется область спинодального распада.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22