Фото-приборы

© fastdl.org

X. Производится формирование рисунка токоразводки, для этого используется фотошаблон ФШ-4.
XI. Методом термического вакуумного напыления или вакуумного электронно-лучевого испарения осуществляется металлизация фотолитографического рисунка, предназначенного для токоразводки. Этот могут быть композиции хром-золото или никель-алюминий-никель. После конденсации металлической композиции проводят операцию по взрыву маски с фотошаблоном ФШ-4. Позиция 8 – металлизация.
XII. Методом фотолитографии формируется маска под защитное и антиотражающее покрытие; используется фотошаблон ФШ-5. Закрытыми остаются площадки под слой индия и линии разметки для резки кристалла на чипы.
XIII. Методом термического вакуумного напыления осаждают защитный и антиотражающий слой из сульфида цинка. После этого производят взрыв маски , используя фотошаблон ФШ-5. Позиция 9 – антиотражающий слой.
XIV. Методом фотолитографии формируют рисунок для монтажных контактов из индия. Для этого используют обратный фотошаблон ФШ-5.
XV. По специальной технологии производят осаждение слоя индия, используя вакуумное термическое напыление.
XVI. Используя фотошаблон ФШ-5, осуществляют формирование рисунка для травления индия, а затем производят травление слоя индия, и далее снимают защитный слой фоторезиста.
Рассмотренные операции – базовые в процедуре изготовления диодной структуры. Далее идут вспомогательные операции:
- покрытие структуры сплошным защитным слоем фоторезиста (без фотошаблонов);
- резка всей структуры на отдельные чипы (линейки или матрицы);
- снятие защитного слоя фоторезиста;
- отклейка чипов от подложки-носителя;
- монтаж чипа на плату с токоразводкой для подключения его в измерительную схему или схему считывания;
- тестирование чипа.
химические процессы технологии;
травление полупроводникового материала, травление защитных и(или) технологических слоев диэлектриков, нанесение фоторезиста и сушка задубливание, вскрытие слоев, условия экспонирования
проблемы создания пр-перехода;
Моделирование процесса ионного внедрения
Расчет профилей внедрения ионов В+ в структуруZnS\Hg1-xCdxTe и профилей радиационных дефектов в такой структуре позволяет оптимально конструировать планарную структуру пр-перехода. Расчеты велись методом Монте-Карло. При этом методе моделирования необходимо генерировать набор траекторий ионов в твердом теле; каждая из этих траекторий представляет собой ломаную линию, в вершинах которой происходят столкновения с атомами мишени, а на соединяющих вершины отрезках - неупругие столкновения с электронами. При этом прицельные параметры столкновений, азимутальные углы рассеяния, длины пробегов между столкновениями и сорт атома мишени, с которым происходит столкновение, разыгрывались случайным образом.
В качестве межатомного потенциала был выбран потенциал Томаса-Ферми, описанный при помощи сечения рассеяния Уинтербона. Этот потенциал хорошо описывает атомные столкновения при больших значениях безразмерной приведенной энергии.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22