Фото-приборы

© fastdl.org

Процесс создания пр-перехода в эпитаксиальном материале КРТ осуществлялся в два этапа. Сначала производили ионную имплантацию фтора, выбирая режим и толщину маскирующих покрытий таким образом, чтобы в активной области снизить исходную концентрацию дырок, а в пассивной области обеспечить стабилизацию поверхностных свойств границы раздела КРТ-диэлектрик. Затем проводили ионную имплантацию бора для обеспечения необходимой концентрации радиационных дефектов, или концентрации электронов. Условия ионного легирования подбирали таким образом, чтобы глубина активной части р-области простиралась не далее 1.5 мкм от поверхности; толщина п-области не превышала 0.2мкм при концентрации электронов в ней не менее 1017см3. Оптимизированные режимы ионного легирования позволяли обходиться без термической обработки пр-перехода для стабилизации его свойств. Ионная имплантация в два этапа с использованием фтора имеет приоритет по А.С.№324541(1990).

Диэлектрические покрытия просветляющие

Наиболее технологичным материалом можно считать сульфид цинка, однако для оптимизации величины пслой лучше использовать композит (ZnS+CeF3). При содержании в конденсате фторида церия от 10 до 40% показатель преломления меняется от 2.2 до 2.0. Экспериментально показано, что просветляющее покрытие для спектрального диапазона 8-12 мкм представляет собой монослой диэлектрика (ZnS+30%CeF3) с толщиной порядка 2.5 мкм; эффективность просветления при этом достигает 90%. Такое покрытие может быть нанесено методом резистивного испарения смеси, а контроль толщины напыляемого слоя можно производить фотометрическим методом.

Диэлектрические покрытия изоляционные

Для защиты поверхности КРТ р-типа проводимости широко используют пленки ZnS, SiO2 и Al2O3. В процессе отработки технологии нанесения изолирующего и одновременно пассивирующего покрытия был опробован ряд диэлектрических материалов: ZnS, ZnSe, SiO2, BaF2, Al2O3, ZrO2, SrF2, MgF2 и смесей [(x)ZnS+(1-x)CeF3] . Опробование такого большого набора материалов вызвано следующими причинами. Диэлектрическая пленка должна:
- обладать при довольно малой толщине хорошими изоляционными свойствами;
- иметь хорошую адгезию к материалу КРТ;
- обладать механической прочностью, достаточной для обеспечения режимов ультразвуковой приварки;
- иметь минимальный встроенный заряд, если она используется в качестве пленки-пассиватора.
Покрытия ZnSe и BaF2 получали резистивным испарением из молибденовых лодочек, слои ZrO2, SiO2 и Al2O3 - электронно-лучевым испарением, а покрытия ZnS, [(x)ZnS+(1-x)CeF3], SrF2 и MgF2 – как резистивным, так и электронно-лучевым испарением.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22