Фото-приборы

© fastdl.org

Практически все исследуемые покрытия при толщине до 0.2 мкм имели удельное электрическое сопротивление 109Ом.см, за исключением пленок из фторида магния, полученных методом электронно-лучевого испарения. Наилучшие результаты получены для пленок [(x)ZnS+(1-x)CeF3] и Al2O3: независимо от температуры подложки (Т=40…1100С) получали слои с 1010 Ом.см. Большое значение имеет скорость конденсации диэлектрического слоя. Например, оптимизация по этому параметру режимов осаждения сульфида цинка позволила получать слои с 1011Ом.см и воспроизводимостью около 80%.
Проблема пассивации поверхности полупроводника в области границы пр-перехода предъявляет особые требования к изолирующему покровному слою. Состояние свободной поверхности р-типа эпислоя таково, что она обеднена основными носителями на глубину порядка дебаевской длины, т.е., имеет место изгиб зон на поверхности. Для п+р-перехода это означает, в лучшем случае, сужение области объемного заряда (и, следовательно, возрастание обратного тока перехода). Последняя ситуация возможна при аккумуляции на поверхности отрицательного заряда, например, за счет адсорбции атомов кислорода и образования тонкого слоя сложного окисла TeO2 – HgO – CdO или закрепления на поверхности полупроводника молекул воды. Очевидно, что токи утечки меньше всего тогда, когда изгиба зон нет ( состояние плоских зон) или же присутствует небольшое обеднение носителями поверхности материала базы. Такое состояние может быть обеспечено пассивацией поверхности диэлектрическими слоями, имеющими встроенный заряд контролируемой величины. Характеристики таких слоев пассиватора определяются природой материала покрытия и правильно подобранными технологическими режимами их нанесения.
Пассивирующие свойства пленок определяли по параметрам CV-характеристик для системы КРТ-диэлектрик-металл. В результате экспериментов было установлено, что для получения необходимого напряжения плоских зон (порядка +0.6 В) оптимальными могут быть системы CdS-ZnS-(ZnS+CeF3) и CdS- ZnS. Слои ZnS имели, как правило, избыточный встроенный положительный заряд, который приводил к инверсии типа проводимости на поверхности полупроводника. Величина этого заряда полностью определяется условиями конденсации пленки: температурой подложки, скоростью напыления степенью вакуума и способом разогрева источника – электронный луч, плазменное реактивное распыление или термический разогрев. Оптимизация условий конденсации пленок ZnS дала возможность получить стабильные воспроизводимые результаты по встроенному заряду в пленке и использовать этот диэлектрик и как пассиватор. При этом удовлетворительные характеристики слоев ZnS-пассиватора были получены как в случае холодных, так и нагретых подложек.
Адгезионную прочность покрытий ZnS на подложках КРТ определяли методом нормального отрыва; среднее значение адгезионной прочности достигает величины 1300 Г/см2.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22