Фото-приборы

© fastdl.org

Измерение АВЧ в реальных условиях проводится при наличии полосового фильтра между приемником и источником излучения – имитатором АЧТ. Полосовой фильтр с полосой пропускания (обычно фильтр изготовлен из германия, просветленного интерференционным покрытием), имеет экпериментально определенную спектральную характеристику пропускания. Мощность Е регистрируется для всей полосы, а приемник работает в своей полосе. Следовательно, для регистрации той мощности, которая вызывает фототок, необходимо ввести коэффициент использования фильтра. Таким образом, реальная падающая мощность оптического излучения равна Рпад=ЕА, где А – площадь фотоприемника. Характерное различие в них заключается в полуширине кривой относительной спектральной чувствительности. Это объясняется тем, что в области длин волн меньших коэффициент поглощения очень большой, и падающее излучение поглощается в непосредственной близости от поверхности, где времена рекомбинации малы. Вследствие этого носители рекомбинируют раньше, чем уходят из поверхностного слоя к пр-переходу. Время рекомбинации определяется плотностью поверхностных состояний и, посуществу, является технологической характеристикой поверхности. Следовательно, у приемника с поверхностью, на которой изгиба зон нет, коротковолновая часть спектральной характеристики наиболее пологая и он обладает широкой спектральной полосой фоточувствительности. Если же пр-переход мелкий и, к тому же, имеет сильно легированную приемную область (структура п+/р - типа), то вершина спектральной характеристики уплощенная, и эта уплощенность тем ярче выражена, чем более узкозонный материал.

В фотодиодных линейках, имеющих геометрию 2х32, 2х64 отдельных неработоспособных диодов, как правило, не было. Однако попадались линейки с группой от 5 до 20 неработающих диодов. Правильнее здесь говорить о размере области, на которой находятся дефектные диоды – 50 – 2000 мкм. Изучение причин брака практически всегда указывает на дефект материала КРТ. Распределение элементов по величине темнового тока часто не подчиняется распределению Гаусса, но в большинстве случаев около 80% диодов имеют разброс значений темнового тока в пределах одного порядка.

Особенности конструкции и технологии при изготовлении матричных фотодиодных структур на основе твердого полупроводникового раствора КРТ
размерность матрицы, ограничения, причины соединение фотоматрицы со считывающим устройством.
Еще раз рассмотрим преимущества и недостатки системы кадмий -ртуть-теллур (КРТ), но теперь уже для оценки возможностей этой системы применительно к матричным фотоприемникам.
Особенности электрофизических свойств системы
- Этот материал может быть изготовлен с различной шириной запрещенной зоны, так что приборы на его основе могут регистрировать ИК-излучение в диапазоне 1.6 – 20 мкм.
- Этот материал относится к собственным полупроводникам, поэтому чувствительность детекторов на его основе выше, чем чувствительность детекторов на основе примесных полупроводников.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22