Фото-приборы

© fastdl.org

Стремление твердого раствора к упорядочению вызвано большой разницей в энергии химической связи разноименных атомов, поэтому в слитках такой материал получить не удалось. Выращивание эпитаксиальных слоев твердого раствора InAs 1-xSbx из жидкой фазы при достижении тем или иным способом минимального несоответствия периодов идентичности подложки и эпислоя позволяет получать материал удовлетворительного качества с содержанием антимонида индия до 40%. В последних работах, посвященных этой системе и приборному применению материала, опубликованы результаты выращивания слоев InAs1-xSbx методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Низкие температуры осаждения и наличие нескольких (до пяти) согласующих параметры решеток слоев промежуточного состава позволили получить материал активного слоя с шириной запрещенной зоны около 0.1 эВ. Однако электрофизические качества материала слоя не позволили в полной мере реализовать характеристики изготовленных из него фотодетекторов – из-за большой плотности дефектов решетки (дислокаций несоответствия), которые генерируются в результате неполной релаксации напряжений на границах раздела согласующих слоев. Авторы этих работ отмечают, что достигнутое низкое значение ширины запрещенной зоны может быть вызвано и вкладом деформационного потенциала в энергию оптических переходов.

Систем. Pb1-x Snx Te.

Свойства этой системы с точки зрения ее применимости для изготовления фотовольтаических фотоприемников достаточно привлекательны. Во-первых, эти компоненты образуют непрерывный ряд полупроводниковых твердых растворов, во-вторых, ширина запрещенной зоны у них меняется линейно с составом в интервале, позволяющем перекрыть весь практически интересный спектральный ИК-диапразон.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22