Фото-приборы

© fastdl.org

Диффузионный метод основан на изменении стехиометрии кристалла при диффузии ртути из паровой фазы. Он осуществляется при отжиге кристалла в замкнутом объеме при контролируемом давлении паров ртути. Давление паров ртути задается требуемой концентрацией носителей - электронов - в инвертируемом слое и определяется условиями термодинамического равновесия между твердой и газообразной фазами (обычно Тотжига =350-5000С; как известно, отжиг при низком давлении паров ртути приводит к снижению концентрации межузельной ртути и к повышению концентрации ее вакансий; отжиг при высоком давлении паров ртути увеличивает ее концентрацию в междуузлиях и приводит к снижению концентрации вакансий); глубина слоя определяется временем отжига – до 300 мин.
Ионное легирование – наиболее распространенный в настоящее время метод получения пр-переходов в КРТ. Используются различные примеси: B, Be, Al, Hg, Fe, Cu, Zn. Однако установлено, что независимо от типа примеси практически всегда образуется слой п+-типа – за счет образования радиационных дефектов донорного типа. Поэтому в качестве исходного материала при таком способе получения пр-переходов используют кристаллы р-типа проводимости с концентрацией дырок порядка 1016 см3. Энергия внедряемых ионов колеблется в пределах от 50 до 250 кэВ, а их доза – от 1012 до 1016 см2.
Другие способы получения пр-переходов технологического развития не получили, т.к. они сложны в исполнении, а результаты их менее стабильны.

2.Требования, предъявляемые к полупроводниковому твердому раствору на основе соединения кадмий-ртуть-теллур для изготовления фотовольтаических приборов. Контроль качества используемого материала: методики и оборудование.

Плотность дефектов микро и макро, плоскостность объемный, эпитаксиальный рентгентопография, химтравление-дефекты структуры.
Рентгеновское исследование используемого материала может дать ответ на следующие вопросы:
состав твердого раствора и, соответственно, ширина запрещенной зоны материала и рабочая длина волны приемника;
совершенство структуры материала, которое определяет качество электрофизических и фотоэлектрических характеристик приемника, а в случае изготовления многоэлементных приборов – эффективная площадь используемого материала.
Определение состава материала рентгеновским методом – трудоемкая и малоэффективная процедура, значительно быстрее и технически проще определять или контролировать этот параметр оптическим методом, измеряя спектры пропускания. О структурном совершенстве можно судить по величине дифракционной расходимости пучка для одного из основных рефлексов (как правило, для кубических кристаллов это рефлексы 333 или 444) – так называемые кривые качания, либо по рентгентопограмме. Кривые качания – локальная характеристика, тогда как рентгентопограмма позволяет провести визуальный контроль структурного качества по всей площади образца. В процессе работы появляется эталонная топографическая картина, которая служит основой для отбраковки используемого материала.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22