Фото-приборы

© fastdl.org

Характерная черта кристаллического состояния гетероэпитаксиальной системы Hg1-xCdxTe/CdTe - сетка дислокаций несоответствия. Пластическая деформация эпитаксиального слоя за счет релаксации напряжений, вызванных дислокациями несоответствия, приводит к неоднородности материала слоя по составу и электрофизическим характеристикам, и, следовательно, к неоднородности параметров фотодиодов. Таким образом, для правильной оценки качества используемого материала его следует подвергнуть процедуре структурного контроля, который должен отвечать следующим основным требованиям:
- экспрессность;
- наглядность;
- отсутствие необратимых воздействий на материал.
Указанные требования были реализованы в методе рентгеновской топографии на отражение, модифицированном по принципу углового сканирования.(техника ШРП) Этот метод позволяет получать информацию о структурном совершенстве приповерхностных слоев толщиной до 10 мкм и является самым экспрессным из применяемых рентгентопографических методов.
Преимущества выбранного способа топографии таковы:
- простота конструкции;
- высокая разрешающая способность;
- небольшое время экспозиции;
- возможность идентифицировать различные структурные дефекты (субзерна, блоки, двойники, включения, дислокационные скопления, области пластической или упругой деформации ).
Съемка рентгентопограмм проводилась на серийном аппарате ДРОН-3М со стандартной рентгенооптической схемой. На гониометре монтировали съемное устройство оригинальной конструкции для осуществления поворота кристалла и фотопластинки с различными скоростями. Использовали излучение CuK и отражение (111), что сократило экспозицию до 10 минут при сохранении высокой разрешающей способности (8-9 мкм).
При интерпретации изображений на рентгеновских топограммах учитывалось то, что интенсивность отраженного луча зависит от степени структурного совершенства исследуемого материала. В случае идеального кристалла интенсивность отраженного луча пропорциональна динамическому коэффициенту отражения, а в случае дефектного кристалла интенсивность отраженного луча пропорциональна кинематическому коэффициенту отражения, т.е., значительно выше. Это контрастное различие определяет характер рисунка на топограмме.
В частности, разориентация блоков достигает 3-50; при этом отдельные блоки имеют высокое структурное совершенство. На топограмме кристалла с мозаичной структурой область блочных границ характеризуется наличием механических напряжений (резкие светлые линии вдоль границ). Сами блоки имеют одинаковую кристаллографическую ориентацию и однородный состав. Гетероэпитаксиальные слои отличаются большим разнообразием дефектов структуры.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22