Фото-приборы

© fastdl.org

Оценка глубины поглощения используемого при съемке характеристического рентгеновского излучения для материала КРТ состава х=0.8 дает величину 3-4 мкм (при толщине эпитаксиальных слоев 20-25 мкм). Поэтому довольно неожиданным оказался факт наблюдения сетки дислокаций несоответствия у исследованных структур Hg1-xCdxTe/CdTe. Вероятнее всего, вследствие большой пластичности материала КРТ (микротвердость не превышает 60 кГсм2 напряжения из области гетерограницы генерируют сдвиговую деформацию по линиям сетки дислокаций несоответствия вглубь от границы эпитаксиальный слой-подложка.

Формулировка критериев, диапазон допуска по требованиям
Проведенные исследования показали, что наиболее часто встречающийся дефект гетероэпитаксиальной системы
Hg1-xCdxTe/CdTe - деформированная сетка дислокаций несоответствия, ведущая к развитию микроячеистой структуры. Регулярная (правильная) сетка дислокаций несоответствия, которая может быть связана с частичной релаксацией напряжений на гетерогранице, наблюдается значительно реже. Для объемных монокристаллов преобладающий дефект - блочность. Для правильной оценки степени пригодности исходного материала его следует подвергнуть процедуре входного контроля, цель которого - произвести разбраковку по структурным и электрофизическим характеристикам. Затраты на индивидуальный входной контроль существенно меньше затрат на приобретение и переработку некондиционного сырья.

Оптическое пропускание позволяет решить, в простейшем случае, две задачи: косвенно оценить структурное совершенство материала и непосредственно определить ширину запрещенной зоны. Экспериментально установлено, что структурное совершенство материала эпитаксиального слоя Hg 1-xCd xTe близко, если угол наклона кривой Т оптического пропускания на участке от Тmin до Тmax не менее 70o. Принятая методика определения по положению точки Тmax на кривой оптического пропускания имеет большую погрешность из-за того, что параметр const ширина запрещенной зоны занижается. Поскольку материал КРТ – прямозонный полупроводник, то коэффициент поглощения задается выражением А(h-Eg).

Электрофизика-эффект холла

В подавляющем большинстве случаев для определения типа проводимости материала эпитаксиальных слоев, концентрации носителей, их подвижности, обнаружения компенсации и определения ее уровня проводят измерения коэффициента Холла в зависимости от температуры ит напряженности магнитного поля. Измерение эффекта Холла – один из этапов тестирования образцов материала КРТ перед тем, как запустить партию образцов в работу. Методика проведения таких испытаний описана в люббом руководстве по измерению эффекта Холла в узкозонном полупроводниковом материале и для случая КРТ не имеет особенностей. Поэтому в качестве иллюстррации этого вида тестирования приведены результаты испытания образцов эпитаксиальных слоев КРТ из тех, для которых проводились рентгентопографические съемки и оптические исследования (см. выше).

Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22