Фото-приборы

© fastdl.org

Результаты электрофизических исследований показывают, что один из образцов, №90240, имеет заметный уровень компенсирующей примеси, и это позволило получить концентрацию носителей в три
раза меньшую, чем у слабо компенсированного материала - №90241.
Уровень компенсации для образца № 90240 определится из следующих условий. Для RH=0 величина напряженности магнитного поля H=725. Концентрация носителей в образце п-типа и их подвижность – образец №90246 - характеризует высокое качество материала. В результате тестирования важно убедиться, что в технологическом процессе используют материал с малым уровнем компенсации и, в тоже время, с концентрацией дырок не более 1016см3. В противном случае эффективный переход создать не удается.

Фотодиодный детектор – его оптимальные параметры и переход к технологии; концентрация, подвижность площадь, состав, число элементов
Для получения высокой фоточувствительности, быстродействия, исключения потерь на поверхностную и объемную рекомбинацию необходимо, чтобы генерация электронно-дырочных пар осуществлялась преимущественно вблизи пр-перехода, на расстоянии порядка диффузионной длины неосновных носителей заряда. Этого можно достичь в случае использования широкозонного входного окна и большой подвижности неосновных носителей. Первое условие обеспечивается большим уровнем легирования приемной стороны пр-перехода, в результате чего ширина запрещенной зоны здесь будет больше – за счет эффекта Бурштейна-Мосса. Второе условие сразу определяет структуру перехода.
Рассмотрим взаимосвязь характеристик материала и параметров фотодетектора. Материал должен обладать проводимостью р-типа, иметь плотность дислокаций 102 – 103 см2 и по возможности не иметь малоугловых границ. Оценка желательной плотности дислокаций определяется из возможного применения материала для изготовления 2-координатных матриц. Количество элементов в такой матрице может достигать нескольких тысяч на 1 см2 ([128х128] – считается необходимым стандартом для аппаратуры высокого пространственного разрешения). Предположим, что площадь приемного элемента 100х100 мкм, а расстояние между элементами по любой координате – 50 мкм. Основной параметр фотоприемника – приведенная обнаружительная способность D. Величина шумового тока определяется как внутренними механизмами протекания тока, так и генерацией неравновесных носителей за счет фонового излучения. D зависит от температуры, плотности потока фонового излучения и произведения R0A, где R0 – дифференциальное сопротивление диода при нулевом смещении, А – площадь пр-перехода. Если минимальная величина мощности, которую регистрирует приемник, определяется флуктуациями фонового излучения, то говорят, что приемник работает в режиме ограничения фоном (Background Limited Infrared Photodeteсtor или BLIP-режим).

Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22