Фото-приборы

© fastdl.org

Произведение R0A определяется из условия R0A=-A(dI/dV)-1 при нулевом смещении пр-перехода. Rr – скорость прямой излучательной рекомбинации.Как видно, увеличение R0A достигается близким расположением электрода к пр-переходу и малой скоростью прямой излучательной рекомбинации.
Толщина рабочего слоя пр-перехода определяется следующим образом. Если при граничной длине волны для фотоприемника величина оптического поглощения равна, то около 90% излучения поглотится на расстоянии 2.5см. Следовательно, тыльная сторона приемника может быть удалена от геометрической границы пр-перехода на расстояние b.
Анализ позволяет сделать вывод, что при низких температурах диффузионная и рекомбинационная составляющие полного тока через пр-переход дают небольшой вклад, а основная доля приходится на туннельную компоненту. Именно эта компонента при низких температурах ограничивает R0A, причем тем сильнее, чем меньше Eg и выше pp .

Базовые позиции технологии изготовления фотодиодных структур. Топология фотошаблонов

Процесс изготовления фоточувствительной диодной структуры состоит из следующей последовательности технологических операций.
I. Приклейка. Образец пластины КРТ, прошедший процедуру контроля, для удобства манипуляций с ним, приклеивается на стеклянную или кремниевую пластину подходящего размера; этот размер определяется аппаратурными условиями технологических процедур.
II. На следующем этапе проводится химическая обработка материала КРТ, цель которой – подготовить его поверхность к напылению пассивирующего слоя сульфида цинка (4). Напыление осуществляется в вакуумной камере термическим методом.
III. Методами фотолитографии с помощью фоторезиста (ФП383, например) создается рисунок фоточувствительных площадок (фчп), знаков совмещения (зс) и базовых контактов (бк).
IV. Методом электронно-лучевого испарения производится осаждение слоя оксида алюминия, выполняющего защитные функции – позиция 5.
V. В технологии широко используется взрывная фотолитография, поэтому с помощью фотошаблона ФШ-1 производится взрыв маски для формирования рисунка защитного слоя из оксида алюминия.
VI. Для проведения процедуры легирования методом ионной имплантации применяют толстый защитный слой из фоторезиста, при этом открытыми должны быть места, предназначенные для фоточувствительных площадок (фчп); используется фотошаблон ФШ-2. После этого производится легирование.
VII. После легирования образуется ограниченный участок п-типа проводимости – позиция 7. Далее производится снятие слоя защитного слоя фоторезиста и формируется рисунок для вскрытия окон в пассивирующем слое сульфида цинка для изготовления омических контактов. Эта процедура осуществляется с помощью фотошаблона ФШ-3, окна вскрываются в фчп и бк.
VIII. Вскрытие окон в сульфиде цинка для фчп и бк осуществляется химическим травлением в растворе соляной кислоты.
IX. Производится снятие слоя фоторезиста, оставшегося от предыдущего этапа.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22